捅破AI存储天花板!闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存:1Tb容量+4.8Gb/s
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发布时间:2026-07-05 17:46:58
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铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%,捅破天花
技术层面,存储出层较BiCS8提升了33%。板闪 7月3日消息,迪铠BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、侠联 性能方面,手推闪存闪迪与铠侠联合宣布,容量这两项技术的捅破天花成熟与迭代, 两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品,存储出层目前没有公布具体的板闪单颗售价。该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘,迪铠读取能效提升30%。侠联
能效表现方面,手推闪存再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。容量
BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的捅破天花两大核心工艺。写入能效提升18%,位密度提升59%,首款产品为1Tb TLC型号,其一是CMOS直接键合到阵列技术,推理及大规模云工作负载设计。采用332层堆叠设计。输出功耗降低34%。其中数据中心领域增速达46%。BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s,
输入功耗较BiCS8降低10%,将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造,其二是间距选择栅极漏极技术,实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。专为AI训练、SCA协议及PI-LTT低功耗技术。通过优化存储单元的排列布局来提升密度。为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。



